Спонсор

ПОХОЖИЕ W4NXD8D-S000

ПАРАМЕТРЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА СЕРИИ W4NXD8D-S000

Тип монтажа :

Производитель : Cree

Корпус :

Описание :
Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Рабочая температура : Min °C | Max °C

W4NXD8D-S000 PDF


Optoelectronics | Оптоэлектроника | 光エレクトロニクス | Optoelektronik | 光电元件 | Componentes optoelectrónicos | 광전자 공학 | Карта сайта